LPE和新加坡科技研究局(A*STAR)的微电子研究所(IME)宣布开展研究合作，以开发高质量的200mm SiC和特种外延工艺，包括提高生长速率和改善均匀性。这将通过模拟研究支持的实验活动来完成。

合作伙伴将IME的研究设施和LPE在SiC CVD反应器和外延生长方面的专业知识结合起来利用

根据合作，双方将利用LPE在SiC CVD反应器技术和SiC外延生长方面的知识，以及IME的研究能力和设施、200mm SiC中试工艺集成线和尖端材料表征设备。目标是创建200mm外延工艺，提高生长速率和均匀性，并降低致命缺陷密度。

A*STAR的IME正在建立200毫米SiC试生产线，以在过渡到200毫米大批量制造之前，在中试规模上验证200毫米制造工艺和工具。此次合作将是IME建立200mm SiC创新项目计划的一部分。

SiC外延是即将到来的200mm SiC试生产线的200mm器件加工的基本工艺步骤之一。预计制造业将转向使用独特的单晶圆腔SiC外延工具。LPE将他们的工具贡献给了创新计划，旨在加快工业应用。

在此次合作中，双方将致力于开发高质量的200mm SiC和特种外延工艺，包括以下领域：用于150mm/200mm晶圆的LPEPE1O8 SiC外延反应器的验证；提高200mm SiC外延层均匀性；开发200mm SiC外延工艺，提高生长率；以及在200毫米SiC晶圆上开发特种SiC外延工艺。

“我们LPE的所有人都对与A*STAR的IME的合作感到非常兴奋，这将使基于200毫米SiC的器件市场得到非凡的扩张。“随着SiC功率模块的普及，更有效地利用电力将使可持续增长成为可能。”LPE首席执行官Franco Preti表示。

“我们期待着A*STAR的微电子研究所和LPE开展这项联合研究，以开发高质量的200mm SiC和特种外延工艺，”A*STAR IME执行董事Terence Gan先生补充道，“此次合作的成功将有利于SiC制造生态系统，并加速高性能SiC功率模块在电动汽车和充电桩等各种应用中的采用。”