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碳化硅二极管 |
AMB基板:碳化硅模块封装新趋势
碳化硅作为新一代功率器件典型代表,具有高温高频特性,对于电池效率提升和成本降低都有明显优势。目前车用进展推进迅速,实际上除了芯片技术外,封装技术也非常关键,新的封装材料和新的封装技术层出不穷。对于轨道交通、电动汽车用的高压、大电流、高功率功率模块来说,散热和可靠性是其必须解决的关键问题。
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碳化硅MOSFET |
一图搞懂碳化硅——晶圆制造篇
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
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碳化硅二极管 |
碳化硅肖特基势垒二极管的特征及与碳二极管的比较
SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压,要想提高Si-SBD的耐压,需要增加Si-SBD漂移区厚度,减小掺杂浓度,但这会带来阻值上升,VF升高导致损耗大幅增加不适合实际应用,因此Si-SBD一般是偏低压的规格,而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,保持了实际应用特性和可耐高压的特性。
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