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阻断电压 Vr
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产品SKU
规格书 封装形式Package
阻断电压 Vr
额定电流IF
总功耗Ptot
正向电压Vf
最高结温
Generation
KS02065-I
SMA 650V 2A 13.5W 1.4V 175℃ 第五代
KS02065-B
TO-252-2L 650V 2A 35W 1.4V 175℃ 第五代
KS02065-A
TO-220-2L 650V 2A 44W 1.4V 175℃ 第五代
KS04065-B1
TO-252-2L 650V 4A 63W 1.4V 175℃ 第五代
KS04065-B
TO-252-2L 650V 4A 63W 1.4V 175℃ 第五代
KS04065-A
TO-220-2L 650V 4A 79W 1.4V 175℃ 第五代
KS04065-Q
SMBF 650V 4A 17.5W 1.4V 175℃ 第五代
KS04065-D
PDFN5*6 650V 4A 31W 1.4V 175℃ 第五代
KS04065-T
TO-220F-2L 650V 4A 62.5W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-A
TO-220-2L 650V 6A 115W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-F
PDFN3*3 650V 6A 24W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-E
TO-263-2L 650V 6A 79W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-B1
TO-252-2L 650V 6A 73W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-N
PDFN8*8 650V 6A 65W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-AL
TO-220-2L 650V 6A 91W 1.25V 175℃ 第五代
KS06065-AI
ITO-220-2L 650V 6A 85W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-D
PDFN5*6 650V 6A 51W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-B
TO-252-2L 650V 6A 73W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-T
TO-220F-2L 650V 6A 57W 1.4V 175℃ 第五代
KS06065-Q
SMBF 650V 6A 25W 1.4V 175℃ 第五代
KS08065-E1
TO-263-2L 650V 8A 124W 1.3V 175℃ 第五代
KS08065-B
TO-252-2L 650V 8A 114W 1.3V 175℃ 第五代
KS08065-D
PDFN5*6 650V 8A 70W 1.3V 175℃ 第五代
KS08065-A
TO-220-2L 650V 8A 150W 1.3V 175℃ 第五代
KS10065-B
TO-252-2L 650V 10A 150W 1.33V 175℃ 第五代
KS10065-AL
TO-220-2L 650V 10A 150W 1.25V 175℃ 第五代
KS10065-AI
ITO-220-2L 650V 10A 160W 1.33V 175℃ 第五代
KS10065-A
TO-220-2L 650V 10A 159W 1.33V 175℃ 第五代
KS10065-E
TO-263-2L 650V 10A 154W 1.4V 175℃ 第五代
KS10065-D
PDFN5*6 650V 10A 77W 1.4V 175℃ 第五代
KS10065-N
PDFN8*8 650V 10A 97W 1.4V 175℃ 第五代
KS12065-A
TO-220-2L 650V 12A 214 W 1.3V 175℃ 第五代
KS15065-A
TO-220-2L 650V 15A 214W 1.35V 175℃ 第五代
KS15065-C
TO-247-2L 650V 15A 230W 1.35V 175℃ 第五代
KS16065-A2
TO-220-2L 650V 16A 267W 1.4V 175℃ 第五代
KS20065-A2
TO-220-2L 650V 20A 348W 1.4V 175℃ 第五代
KS20065-C
TO-247-2L 650V 20A 250W 1.4V 175℃ 第五代
KS20065-R
TO-247-3L 650V 20A 250W 1.4V 175℃ 第五代
KS20065-A
TO-220-2L 650V 20A 250W 1.4V 175℃ 第五代
KS20065-A2
TO-220-2L 650V 20A 348W 1.4V 175℃ 第五代
KS20065-E2
TO-263-2L 650V 20A 128W 1.35V 175℃ 第五代
KS20065-R2
TO-247-3L 650V 20A 167W 1.35V 175℃ 第五代
KS30065-C2
TO-247-2L 650V 30A 460W 1.35V 175℃ 第五代
KS30065-A2
TO-220-2L 650V 30A 416W 1.35V 175℃ 第五代
KS30065-R2
TO-247-3L 650V 30A 227W 1.35V 175℃ 第五代
KS40065-A2
TO-220-2L 650V 40A 500W 1.4V 175℃ 第五代
KS40065-R2
TO-247-3L 650V 40A 250W 1.4V 175℃ 第五代
KS02120-I
SMA 1200V 2A 20W 1.4V 175℃ 第五代
KS02120-B
TO-252-2L 1200V 2A 55W 1.4V 175℃ 第五代
KS02120-A
TO-220-2L 1200V 2A 62W 1.4V 175℃ 第五代
KS04120-B
TO-252-2L 1200V 4A 100W 1.4V 175℃ 第五代
KS04120-A
TO-220-2L 1200V 4A 117W 1.4V 175℃ 第五代
KS06120-B
TO-252-2L 1200V 6A 122W 1.4V 175℃ 第五代
KS06120-A
TO-220-2L 1200V 6A 163W 1.4V 175℃ 第五代
KS06120-T
TO-220F-2L 1200V 6A 126W 1.4V 175℃ 第五代
KS10120-E
TO-263-2L 1200V 10A 200W 1.3V 175℃ 第五代
KS10120-C
TO-247-2L 1200V 10A 234W 1.3V 175℃ 第五代
KS10120-A
TO-220-2L 1200V 10A 214W 1.3V 175℃ 第五代
KS10120-C
TO-247-2L 1200V 10A 234W 1.3V 175℃ 第五代
KS10120-B
TO-252-2L 1200V 10A 187W 1.3V 175℃ 第五代
KS12120-R2
TO-247-3L 1200V 12A 166W 1.4V 175℃ 第五代
KS15120-C
TO-247-2L 1200V 15A 288W 1.45V 175℃ 第五代
KS15120-A
TO-220-2L 1200V 15A 250W 1.45V 175℃ 第五代
KS20120-E
TO-263-2L 1200V 20A 250W 1.4V 175℃ 第五代
KS20120-A
TO-220-2L 1200V 20A 277W 1.4V 175℃ 第五代
KS20120-C
TO-247-2L 1200V 20A 312W 1.4V 175℃ 第五代
KS20120-R2
TO-247-3L 1200V 20A 261W 1.3V 175℃ 第五代
KS20120-E
TO-263-2L 1200V 20A 268W 1.5V 175℃ 第五代
KS30120-C2
TO-247-2L 1200V 30A 576W 1.45V 175℃ 第五代
KS30120-R2
TO-247-3L 1200V 30A 288W 1.45V 175℃ 第五代
KS40120-R2
TO-247-3L 1200V 40A 268W 1.45V 175℃ 第五代
KS40120-C2
TO-247-2L 1200V 40A 624W 1.4V 175℃ 第五代
KS20120-E1
TO-263-2L 1200V 20A 250W 1.4V 175˚C 第五代
KS02120-B1
TO-252-2L 1200V 2A 55W 1.4V 175˚C 第五代
KS16120-R2
TO-247-3L 1200V 16A 332W 1.5V 175˚C 第五代
KS04065-I
SMA 650V 4 25.8W 1.4V 175˚C 第五代
KS16065-R2
TO-247-3L 650V 16A 250W 1.3V 175˚C 第五代
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碳化硅二极管 |
碳化硅功率器件封装关键技术
碳化硅器件的优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战。 碳化硅器件的结电容更小,栅极电荷低,因此,开关速度极快,开关过程中的 dv/dt 和 di/dt 均极高。虽然器件开关损耗显著降低,但传统封装中杂散电感参数较大,在极高的 di/dt 下会产生更大的电压过冲以及振荡,引起器件电压应力、损耗的增加以及电磁干扰问题。在相同杂散电容情况下,更高的dv/dt 也会增加共模电流。
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碳化硅二极管 |
AMB基板:碳化硅模块封装新趋势
碳化硅作为新一代功率器件典型代表,具有高温高频特性,对于电池效率提升和成本降低都有明显优势。目前车用进展推进迅速,实际上除了芯片技术外,封装技术也非常关键,新的封装材料和新的封装技术层出不穷。对于轨道交通、电动汽车用的高压、大电流、高功率功率模块来说,散热和可靠性是其必须解决的关键问题。
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碳化硅二极管 |
碳化硅肖特基势垒二极管的特征及与碳二极管的比较
SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压,要想提高Si-SBD的耐压,需要增加Si-SBD漂移区厚度,减小掺杂浓度,但这会带来阻值上升,VF升高导致损耗大幅增加不适合实际应用,因此Si-SBD一般是偏低压的规格,而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,保持了实际应用特性和可耐高压的特性。
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