超结MOSFET
森国科SJMOS ，采用多次外延的工艺，在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构，其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限，而且额定电压越高，导通电阻的下降越明显。
产品选型表
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产品SKU
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规格书 |
阻断电压
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导通电阻
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不间断电流
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脉冲电流
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栅极总电荷
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封装形式
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K3J193060F-T 新品 |
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600V | 193mΩ | 11.5A | 54.6A | 31.9nC | TO-220F-3L |
K3J193060F-A 新品 |
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600V | 193mΩ | 15A | 54.6A | 31.9nC | TO-220-3L |
K3J1200065-T |
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650V | 1200mΩ | 2.2A | 10.2A | 5.9nC | TO-220F-3L |
K3J380065-T |
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650V | 380mΩ | 6.1A | 28.8A | 16.5nC | TO-220F-3L |
K3J280065-T |
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650V | 280mΩ | 8A | 37.5A | 21nC | TO-220F-3L |
K3J180065-T |
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650V | 180mΩ | 11.1A | 53A | 28nC | TO-220F-3L |
K3J045065-R |
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650V | 45mΩ | 39.6A | 188A | 142nC | TO-247-3L |
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