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碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET分立器件适用于硬开关和谐振开关拓扑如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力,树立了低动态损耗方面的标杆,即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列适用于工业领域,如工业电源,充电桩电源模组和不间断电源(UPS)。
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产品选型表
阻断电压
栅极电荷总数
封装形式
额定电流
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产品SKU
规格书
阻断电压
栅极电荷总数
RDS(ON)在25℃
输出电容
耗散功率
最高结温
封装形式
额定电流
KM040120-J
1200V
125nC
40mΩ
113PF
325W
150℃
TO-247-4L
60A
KM040120-R
1200V
125nC
40mΩ
113PF
150℃
TO-247-3L
60A
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碳化硅MOSFET |
一图搞懂碳化硅——晶圆制造篇
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
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