为了明确 SiC 金属－氧化物－半导体场效应晶体管 ( MOSFET) 与 Si 绝缘栅双极型晶 体管 ( IGBT) 寿命差异的原因，在相同结温条件下对上述两种分立器件进行功率循环试验。试 验结果表明，SiC MOSFET 的寿命大于 Si IGBT 的寿命。若将两组试验负载电流等效一致，则 SiC MOSFET 的寿命约为 Si IGBT 的 1 /4。为了揭示寿命差异的根本原因，即失效机理的探究，建立 了两种器件电－热－力多物理场有限元模型并在功率循环试验条件下进行仿真，结果表明造成寿 命差异的原因是 Si、SiC 材料与铝材料之间的热膨胀系数差异不同，导致器件在功率循环中受到 循环热应力时产生的塑性应变不同。研究结果为提高 SiC MOSFET 的寿命提供了理论参考。

SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。