霍尔传感器定时器 TIM2
内部集成 1 个可同步的 4 通道通用定时器 TIM2，可用于连接霍尔传感器。
内核部分和驱动部分
驱动部分直接接入高压（7~28V）并通过 LDO 输出 5V 电压给内核部分和外围电路供电；
内核部分工作在 3.3V，芯片 5V 输出再外接一颗 LDO 实现内核供电；
内核部分工作在 3.3V，芯片 5V 输出再外接一颗 LDO 实现内核供电；
驱动类型
3P+3N Predriver输出
定时器设置
拥有 1 个高级定时器、1 个通用定时器、1 个普通定时器
电源系统
VM 输入 7-28V 电压，输入电压动态范围宽，抗扰动能力强。
时钟与复位
芯片自带 32MHz 内部振荡器（HSI），默认选择 HSI 作为 SYSCLK。 芯片支持两种复位，系统复位、电源复位。
SRAM
内置 2K 字节的静态 SRAM。它可以以字节(8 位)、半字(16 位)或字(32 位)进行访问。该类存储器，CPU 都可用最快的系统时钟且不插入任何等待进行访问。
SRAM 不支持 HW Parity check。
SRAM 不支持 HW Parity check。
Flash
闪存存储器有两个不同的存储区域：
主闪存储块，它包括应用程序和用户数据区
信息块，其包含两个部分：
选项字节(Option bytes)：内含硬件及存储保护用户配置选项。
448byte EEPROM。
闪存接口基于 AHB 协议执行指令和数据存取。其预取缓冲的功能可加速 CPU 执行代码的速度。
主闪存储块，它包括应用程序和用户数据区
信息块，其包含两个部分：
选项字节(Option bytes)：内含硬件及存储保护用户配置选项。
448byte EEPROM。
闪存接口基于 AHB 协议执行指令和数据存取。其预取缓冲的功能可加速 CPU 执行代码的速度。
高级定时器 TIM1
内部集成一个高级定时器 TIM1，可以被看成是分配到 6 个通道的三相 PWM 发生器，还可以被当
成完整的通用定时器，四个独立的通道可以用于： 1、 输入捕获 ；2、输出比较 ；3、产生 PWM（边缘或中心对齐模式） ；4、 单脉冲输出 ；5、 互补 PWM 输出，具程序可控的死区插入功能 。配置为 16 位标准定时器时，它与普通定时器具有相同功能，配置为 16 位 PWM 发生器时，它具有全调制能力（0 ~ 100%）
成完整的通用定时器，四个独立的通道可以用于： 1、 输入捕获 ；2、输出比较 ；3、产生 PWM（边缘或中心对齐模式） ；4、 单脉冲输出 ；5、 互补 PWM 输出，具程序可控的死区插入功能 。配置为 16 位标准定时器时，它与普通定时器具有相同功能，配置为 16 位 PWM 发生器时，它具有全调制能力（0 ~ 100%）
