G2302B1 是一款为控制 N&N 沟道 MOSFETs 而设计的三路 Gate 驱动 IC。芯片内部有 3 个半桥，共驱动 3 个上臂 N 沟道功率 MOSFETs和3个下臂 N沟道功率MOSFETs， 每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由 MCU 或控制器来控制马达工作于任意模式。 芯片内部集成了 3.3/5V 的 LDO，电流能力达 到 100mA。 内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下 桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。 G2302B1 封装有 TSSOP20 和 QFN20。