G2303B3是一款为控制N&N沟道 MOSFETs 而设计的三路 Gate 驱动 IC。 芯片内部有 3 个半桥，共驱动 3 个上 臂 N 沟道功率 MOSFETs 和 3 个下臂 N 沟道功率 MOSFETs，每一路输出均由 单一逻辑输入信号控制， 由 MCU 或 控制器来控制马达工作于任意模式。 内置死区时间和直通保护逻辑， 防止上、下桥臂的功率管同时导通。 内置输入欠压保护。内置电荷泵自举 部分电路，简化电路板设计，具有极 高性价比。G2303B3 的欠压是 3V，可 单节锂电池工作。G2303B3 封装有 SOP16、CPC16 和 QFN20 三种。