数据参数
G6003C 内部集成了高精度电流源、温度
补偿模块、霍尔阵列、放大器和驱动模块等
电路模块,在全温度范围内具有较高的线性
度和较强的抗电磁干扰能力。G6003C 封装类
型有 SOT23-3。
宽工作电压范围:2.7V~8V
专为磁轴键盘单极性应用优化设计
宽线性范围:0.8V~2.05V@VDD=3.3V
低工作电流:1.4mA
线性度±4%
零点(无磁场时)输出电压 2.05V
低噪声输出,且无需外部电容滤波
工作温度范围:-40℃至105℃的环境
灵敏度选项:2.2mV/Gs@VDD=3.3V
器件HBM ESD分类等级Class2
SOT23-3封装
补偿模块、霍尔阵列、放大器和驱动模块等
电路模块,在全温度范围内具有较高的线性
度和较强的抗电磁干扰能力。G6003C 封装类
型有 SOT23-3。
宽工作电压范围:2.7V~8V
专为磁轴键盘单极性应用优化设计
宽线性范围:0.8V~2.05V@VDD=3.3V
低工作电流:1.4mA
线性度±4%
零点(无磁场时)输出电压 2.05V
低噪声输出,且无需外部电容滤波
工作温度范围:-40℃至105℃的环境
灵敏度选项:2.2mV/Gs@VDD=3.3V
器件HBM ESD分类等级Class2
SOT23-3封装
