碳化硅器件的优良特性，需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接，才能得到完美展现，而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战。 碳化硅器件的结电容更小，栅极电荷低，因此，开关速度极快，开关过程中的 dv/dt 和 di/dt 均极高。虽然器件开关损耗显著降低，但传统封装中杂散电感参数较大，在极高的 di/dt 下会产生更大的电压过冲以及振荡，引起器件电压应力、损耗的增加以及电磁干扰问题。在相同杂散电容情况下，更高的dv/dt 也会增加共模电流。

碳化硅作为新一代功率器件典型代表，具有高温高频特性，对于电池效率提升和成本降低都有明显优势。目前车用进展推进迅速，实际上除了芯片技术外，封装技术也非常关键，新的封装材料和新的封装技术层出不穷。对于轨道交通、电动汽车用的高压、大电流、高功率功率模块来说，散热和可靠性是其必须解决的关键问题。

SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压，要想提高Si-SBD的耐压，需要增加Si-SBD漂移区厚度，减小掺杂浓度，但这会带来阻值上升，VF升高导致损耗大幅增加不适合实际应用，因此Si-SBD一般是偏低压的规格，而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强，保持了实际应用特性和可耐高压的特性。